NAND闪存的堆叠技术不断演进，最近取得了一系列引人注目的突破。SK Hynix创造了闪存堆叠的新纪录，将层数提升到了238层，随后是Samsung 236，接着是Micron和YMTC的232层的堆叠。
近日，SK Hynix宣布成功开发出全球首个层数超过300的闪存，达到321层。这款闪存为TLC，单Die容量达到了1Tb（128GB），预计正式量产等到2025年才能实现。
据韩国媒体报道，Samsung计划在2024年推出300+层闪存，力争领先于SK Hynix。
目前，尚未公布Samsung300+层闪存的详细规格，包括层数、容量密度、闪存类型等。只知道它仍然采用双重堆叠技术，而不是SK Hynix所采用的三重堆叠技术。
这意味着，Samsung每一重的堆叠层数都将超过150层，这无疑带来了更大的技术挑战，也对生产良品率提出了更高的要求。但显然，Samsung已经找到了有效的解决方案。
根据Samsung的规划路线图， 2030年闪存的堆叠层数将会超过1000层。
值得注意的是，Samsung不久前发布了一款容量为256TB的企业级SSD，其中采用了QLC技术。此外，他们还在开发PB级别的SSD，预计存储容量将超过1000TB。
