RAM短缺预计持续至2030年SK hynix拟五年内倍增记忆晶圆产能

SK hynix集团董事长崔泰源于6月2日在台北国际电脑展向记者表示,公司计划在五年内将其记忆晶圆产能倍增,并重申他对AI驱动的存储器市场短缺将持续到2030年的预测。 据《彭博》报道,崔泰源拒绝透露此次扩张的确切金额,但表示公司2026年的支出将远超2025年的30.2万亿韩元(约200亿美元)。

RAM短缺预计持续至2030年SK hynix拟五年内倍增记忆晶圆产能

5年后缓解需求

就其自身时间来考虑,此承诺对缩短短缺影响不大。 崔泰源表示一座全新晶圆厂的前置时间超过五年,这使得新产能的产出将接近他预测的「短缺期尾声」。 这一新立场也与他三月份在英伟达 GTC 大会上的言论显著不同,当时他表示没有计划新建晶圆厂,且产能无法按需增加。

客户急寻解决方案

崔泰源也指出,由于土地、设备和电力价格不断变动,此次建设的成本难以确定,这或许是此公告未附带具体金额的原因。 由于公司现有产线已饱和,客户已提出购买 SK hynix 的 EUV 扫描机并预先资助晶圆厂产线,因为可用产能已接近于零。 崔泰源向记者表示:「直到2030年,仍存在一定程度的短缺。」

HBM 需求主导市场趋势

最终,是HBM造成了晶圆供需之间的巨大差距。 HBM 每位消耗的晶圆远多于标准 DRAM,并带来业界最高的利润,因此产能不断向其倾斜。 SK hynix占据约57%的HBM市场和32%的全球DRAM市场。 Chey表示,他希望公司能成为英伟达 Vera Rubin 平台的主要 HBM 供应商,并正在寻求与台积电以外的更多制造合作伙伴。 尽管产能倍增,但未来五年的展望并未改变,在当前AI需求的状况下,市场很可能在本十年剩余时间内保持紧张。

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